半导体发光二极管器件特性是？-广东晶瀚光电股份有限公司

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半导体发光二极管器件特性是？

半导体发光二极管的结构公差没有激光器那么严格，而且无谐振腔。所以，所发出的光不是激光，而是荧光。LED是外加正向电压工作的器件。半导体发光二极管的结构简单，体积小，工作电流小，使用方便，成本低，所以在光电系统中的应用极为普遍。那么半导体发光二极管器件特性是？

1、输出光功率与电流和温度的关系，对表面出光器件，在驱动电源较小时，输出功率随电流线性增大，电流较大时变为亚线性，量子效率也随之降低，这是发热温升引起的。超辐射二极管因存在相当大的增益，使器件存在很强的超线性行为，温度敏感性随增益提高而增强；

2、光谱特性，表面发光的LED光谱属自发辐射谱。发射波长为0.85μm的
GaAlAs（镓铝砷）器件，光谱宽度约为40nm。1.3μm的InGaAsP（铟镓砷磷）器件为ll0nm。端面出光LED，由于沿有源区长度方向的自吸收，谱宽比面出光LED窄，对超辐射二极管，光增益的出现使光谱进一步变窄；

3、输出功率和调制带宽，影响LED输出功率和调制带宽的因素有界面非辐射复合，自吸收和载流子漏泄等。这些因素又与器件参数有关，诸如掺杂浓度、少数载流子扩散长度、吸收系数、有源层厚度，双异质结中有源层与限制层的带隙能量差和注入电流密度等，这些参数又是相关的。调制带宽与输出功率呈倒数关系，对特定的材料和工艺水平其功率与带宽乘积也不同。

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